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2019-06-13

113彩票进化史(三)-PCBA线路板

发布者:合明科技 ; 浏览次数:544

半导体材料进化史(三)-PCBA线路板


文章来源:中科院半导体所

文章关键词导读:半导体、PCBA线路板、芯片


宽禁带半导体材料


近年来,第三代半导体材料正凭借其优越的性能和巨大的市场前景,成为全球半导体市场争夺的焦点。


所谓第三代半导体材料,主要包括SiC、GaN、金刚石等,因其禁带宽度大于或等于2.3电子伏特,又被称为宽禁带半导体材料。当前,电子器件的使用条件越来越恶劣,要适应高频、大功率、耐高温、抗辐照灯特殊环境。为了满足未来电子器件需求,必须采用新的材料,以便最大限度地提高电子元器件的内在性能。和第一代、第二代半导体材料相比,第三代半导体材料具有高热到率、高击穿场强、高饱和电子漂移速率和高键合能等优点,可以满足现代电子技术对高温、高功率、高压、高频以及抗辐射等恶劣条件的新要求,是半导体材料领域有前景的材料。


在国防、航空、航天、石油勘探、光存储等领域有着重要的应用前景,在宽带通讯、太阳能、汽车制造、半导体照明、智能电网等众多战略行业可以降低50%以上的能量损失,高可以使装备体积减小75%以上,对人类科技的发展具有里程碑的意义。


目前,由其制作的器件工作温度可达到600℃以上、抗辐照1*106rad;小栅宽GaN HEMT器件分别在4 GHz 下,功率密度达到40 W/mm;在8 GHz,功率密度达到30 W/mm;在18 GHz,功率密度达到9.1 W/mm;在40 GHz,功率密度达到10.5 W/mm;在80.5 GHz,功率密度达到2.1 W/mm,等。因此,宽禁带半导体技术已成为当今电子产业发展的新型动力。


从目前宽禁带半导体材料和器件的研究情况来看,研究重点多集中于碳化硅(SiC) 和氮化镓(GaN)技术,其中SiC 技术最为成熟,研究进展也较快;而GaN 技术应用广泛,尤其在光电器件应用方面研究比较深入。氮化铝、金刚石、氧化锌等宽禁带半导体技术研究报道较少,但从其材料优越性来看,颇具发展潜力,相信随着研究的不断深入,其应用前景将十分广阔

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以上为合明科技在工业清洗方面的经验的累积,我们是国内自主掌握核心水基清洗技术的先创品牌,在水基清洗、环保清洗方面有着丰富的经验,也成为了IPC清洗标准主席单位。但是因为工业清洗问题内容广泛,没办法面面俱到,本文只对常见问题作分析,随着电子产业的不断更新换代,新的工艺问题也不断出现,本公司自成立以来不断追求产品的创新,做到与时俱进,熟悉各种生产复杂工艺,力争能为客户提供全方位的工业清洗解决方案。

 

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